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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 IRFB17N60KPBF 是一款N沟道高压MOSFET,常用于高效率开关电源和功率控制场合。其600V的漏源击穿电压和17A的连续漏极电流能力,使其适用于多种中高功率应用。 典型应用场景包括:开关模式电源(SMPS),如服务器电源、工业电源和ATX电源;逆变器系统,如太阳能逆变器和UPS不间断电源;电机驱动电路,用于家用电器或工业控制中的交流电机控制;以及LED照明驱动电源,特别是在高亮度、大功率LED应用中,可实现高效直流变换。 此外,该器件也广泛用于DC-DC转换器、PFC(功率因数校正)电路和感应加热设备中。IRFB17N60KPBF采用TO-220FP封装,具有良好的热稳定性和可靠性,并符合RoHS标准,无铅环保。其快速开关特性有助于降低功耗,提高系统整体能效。 由于具备较高的耐压能力和较强的电流承载性能,该MOSFET特别适合在高温、高负载环境下长期稳定运行,是工业、消费类及绿色能源领域中功率管理设计的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRFB17N60KPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 99nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 420 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFB17N60KPBF |
| 功率-最大值 | 340W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |