Datasheet下载- 型号： IRFBE30S
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBE30S由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBE30S价格参考。VishayIRFBE30S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFBE30S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBE30S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFBE30S是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该器件适用于各种开关电源设计，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机控制：可用于小型直流电机或步进电机的驱动与控制电路中，实现对电机速度和方向的有效调节。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭高电流负载的应用场合下非常适用，例如汽车电子系统中的继电器替代方案。 4. 电池管理：用于保护锂离子或其他类型可充电电池免受过充、过放及短路损害；同时也可以作为充放电路径上的开关元件使用。 5. 音频放大器：某些高性能音频设备可能会采用此类MOSFET作为输出级的一部分，以提供更大的功率输出能力。 6. 照明驱动：LED照明系统的恒流源设计中常会用到这种类型的MOSFET来确保LED能够稳定工作于预定亮度水平之下。 7. 逆变器：家庭或工业用太阳能逆变器以及其他形式的能量转换装置也可能集成IRFBE30S，以完成交流与直流之间的相互转变过程。 总之，凭借其出色的电气性能参数（如较低的导通电阻、较高的击穿电压以及较快的开关速度），IRFBE30S非常适合应用于各种需要高效能功率转换和控制的电子产品之中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91119 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFBE30S |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFBE30S |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Tc） |
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