Datasheet下载- 型号： PSMN7R0-30MLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R0-30MLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R0-30MLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R0-30MLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN7R0-30MLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R0-30MLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN7R0-30MLC,115是一款30V、7.0mΩ（典型值）、采用LFPAK56（Power-SO8）封装的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。其低导通电阻、快速开关特性及高可靠性，使其广泛应用于中低功率电源管理场景。典型应用包括： - DC-DC转换器：作为同步整流开关，用于降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑，提升效率（尤其在12V输入、3.3V/5V/12V输出的工业/通信电源中）； - 负载开关与热插拔电路：利用其低Rds(on)和内置ESD保护（HBM 2kV），实现高效、安全的板级供电控制； - 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、打印机、POS设备）的H桥或单路驱动，支持PWM调速； - LED驱动与背光控制：作为恒流源开关或调光MOSFET，满足低功耗、高响应需求； - 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电路径控制（如过流/短路保护开关）。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0V，4.5V栅极可完全导通），兼容3.3V/5V MCU直接驱动，无需额外驱动IC；LFPAK56封装具备优异的热性能（Rth(j-sp) ≈ 2.5°C/W），适合空间受限且需良好散热的设计。符合AEC-Q101标准，亦可用于汽车电子辅助系统（如车载USB充电模块、车身控制单元）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN7R0-30MLC,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1076pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 其它名称 | 568-9577-6 |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1210， 8-LFPAK33 （5 根引线） |
| 工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 67A （Tc） |
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