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Datasheet下载- 型号： IRFD320PBF
- 制造商： Vishay
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IRFD320PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD320PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD320PBF价格参考。VishayIRFD320PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 400V 490mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP。您可以下载IRFD320PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD320PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFD320PBF是一款N沟道功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：IRFD320PBF因其低导通电阻（Rds(on)）和良好的开关性能，非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电压和电流的转换，广泛应用于AC-DC或DC-DC转换器中。 2. 电机驱动：该器件能够承受较高的电流和电压，适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。它可以通过快速切换来调节电机的速度和方向。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭高电流负载的应用中，IRFD320PBF可以作为电子开关使用。例如，在汽车电子、家用电器或工业设备中，用于控制大功率负载的通断。 4. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，这款MOSFET可用于将直流电转换为交流电。它的高频开关能力和耐压特性使其成为理想选择。 5. 电池管理系统（BMS）：IRFD320PBF可以用作电池保护电路中的开关元件，以防止过充、过放或短路等情况发生，确保电池的安全运行。 6. 音频功放：在D类音频放大器中，该MOSFET可以用作输出级开关，提供高效的音频信号放大，同时减少热量产生。 7. LED驱动：对于高亮度LED照明系统，IRFD320PBF可以用于恒流驱动电路，确保LED获得稳定的电流供应，从而实现均匀的亮度输出。 总之，IRFD320PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，满足各种功率转换和控制需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIPMOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 490 mA |
| Id-连续漏极电流 | 490 mA |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD320PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFD320PBF |
| Pd-PowerDissipation | 1000 mW |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 410pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 欧姆 @ 210mA，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRFD320PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 490mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
