Datasheet下载- 型号： PSMN011-60MSX
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN011-60MSX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN011-60MSX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN011-60MSX封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN011-60MSX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN011-60MSX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN011-60MSX 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沾极 MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号具有 60V 的耐压能力、低导通电阻（典型值为 1.1mΩ）以及高电流处理能力（连续漏极电流可达 152A），因此适用于多种高效能电力转换和控制场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 PSMN011-60MSX 适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动 由于其高电流承载能力和快速开关特性，这款 MOSFET 可广泛应用于电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机等）以及工业自动化设备中的无刷直流电机（BLDC）驱动电路。 3. 负载切换 在需要频繁切换大电流负载的系统中（例如汽车电子、服务器电源管理单元），PSMN011-60MSX 提供了可靠的性能，同时降低了热损耗。 4. 电池管理系统（BMS） 它可用于电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）以及便携式电子设备的电池保护电路中，作为充放电路径的开关元件。 5. 逆变器与 UPS 系统 该器件适用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中的功率级电路，支持高效的能量转换和稳定的输出控制。 6. LED 驱动器 在高亮度 LED 照明应用中，PSMN011-60MSX 可用作电流调节开关，确保稳定且高效的光源驱动。 总之，PSMN011-60MSX 凭借其出色的电气特性和可靠性，成为许多高性能电力电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1368 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V LFPAK33MOSFET N-channel 60 V 11.3 mOhm MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 61 A |
| Id-连续漏极电流 | 61 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN011-60MSX- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN011-60MSX |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 91 W |
| Pd-功率耗散 | 91 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 8.46 ns |
| 下降时间 | 9.18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1368pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.3 毫欧 @ 15A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 其它名称 | 568-10986-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 16.9 ns |
| 功率-最大值 | 91W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-1210， 8-LFPAK33 （5 根引线） |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 61A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Triple Common Source |
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