Datasheet下载- 型号： TK34E10N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK34E10N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK34E10N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK34E10N1,S1X封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK34E10N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK34E10N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为TK34E10N1,S1X的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）由Toshiba Semiconductor and Storage生产，属于N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效、低功耗开关性能的电子设备中。 该器件的主要应用场景包括：电源管理模块，如DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，因其具有较低的导通电阻（RDS(on)）和良好的开关特性，有助于提高电源效率并减少发热；电池供电设备，例如笔记本电脑、移动电源和便携式电子产品，用于负载开关或电源切换控制，以延长电池续航时间；电机驱动电路，适用于小型直流电机或步进电机的控制，常见于家用电器（如风扇、电动工具）中；此外，还可用于LED照明驱动电路，实现恒流控制与调光功能。 TK34E10N1,S1X采用小型表面贴装封装（如SOP Advance），适合高密度PCB布局，有利于缩小产品体积，提升系统集成度。其额定电压为100V，适合中低压应用环境，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、消费电子及部分汽车电子辅助系统等对空间和能效有较高要求的场合。 综上，该MOSFET凭借其优异的电气性能和紧凑封装，广泛用于高效电源转换与功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 34A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK34E10N1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK34E10N1,S1X |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 500µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 17A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK34E10N1S1X |
| 功率-最大值 | 103W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/toshiba-silicon-n-channel-mosfet/2550http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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