Datasheet下载- 型号： TK39A60W,S4VX
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK39A60W,S4VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK39A60W,S4VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK39A60W,S4VX封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK39A60W,S4VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK39A60W,S4VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TK39A60W,S4VX是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款N沟道MOSFET晶体管，属于功率MOSFET类别。该器件具有600V的漏源击穿电压和39A的连续漏极电流能力，适用于高电压、中高功率的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中，如服务器电源、通信电源和工业电源模块，因其高耐压和低导通电阻特性，有助于提高电源转换效率并减少发热。 2. 电机驱动：适用于工业控制设备、家用电器（如变频空调、洗衣机）中的电机控制电路，可实现高效、稳定的功率切换。 3. 照明电源：用于LED驱动电源、电子镇流器等高亮度照明系统，支持高频开关操作，提升系统能效。 4. 逆变器系统：在太阳能逆变器或不间断电源（UPS）中作为关键开关元件，承担直流到交流的转换任务，具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 消费类电子产品：适用于需要高效能功率管理的大功率适配器、充电设备等。 该MOSFET采用小型表面贴装S4VX封装（类似TO-247），具有良好的散热性能和安装便利性，适合紧凑型高密度电路设计。同时，其优化的栅极电荷和导通电阻（RDS(on)）参数，有助于降低开关损耗和传导损耗，提升整体系统效率。综合来看，TK39A60W,S4VX是一款适用于工业、消费类及绿色能源领域中高效率功率开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 4100 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 38.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 38.8 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK39A60W,S4VX- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK39A60W |
| 产品型号 | TK39A60W,S4VXTK39A60W,S4VX |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| Qg-GateCharge | 110 nC |
| Qg-栅极电荷 | 110 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1.9mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4100pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 19.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK39A60WS4VX |
| 典型关闭延迟时间 | 200 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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