Datasheet下载- 型号： DMN3051L-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3051L-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3051L-7价格参考。Diodes Inc.DMN3051L-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN3051L-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3051L-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN3051L-7是一款单N沟道增强型MOSFET，常用于中小功率的开关和电源管理应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、稳压器及负载开关，用于高效能电源系统中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备。 2. 电池供电设备：因其低导通电阻和小封装，适合用于电池管理系统中的开关元件，提升能源利用效率。 3. 电机控制：可用于小型电机或步进电机的驱动电路，实现对电机转速和方向的控制。 4. 负载开关：在需要控制高边或低边负载的应用中，如LED驱动、风扇控制等，作为高效开关使用。 5. 工业控制：应用于工业自动化设备中的信号切换和功率控制模块。 该器件采用SOT-223封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适合高密度电路设计，广泛应用于消费电子、工业和汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3MOSFET 1.4W 30V 5.8A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3051L-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN3051L-7 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1400 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 64 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 424pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | DMN3051L7 |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 38 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 5.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.8A （Ta） |
| 系列 | DMN3051 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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