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  • 型号: FQPF12P10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF12P10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF12P10价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF12P10封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF12P10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF12P10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF12P10 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压(100V)和良好的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。

该器件广泛应用于以下领域:

1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、电池充电电路,用于高效控制电流流向和电压调节。  
2. 负载开关电路:作为高侧或低侧开关,控制电机、LED灯、风扇等负载的通断。  
3. 汽车电子:如车载电源系统、电动工具和车载充电器,因其具备高可靠性和耐高温特性。  
4. 工业控制设备:用于PLC、工业电源及自动化设备中的功率控制部分。  
5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电源管理模块,实现低功耗与高效能设计。

该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和安装,适合中高功率应用。设计时需注意栅极驱动电压和功耗限制,以确保稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQPF12P10

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

290 毫欧 @ 4.1A,10V

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

38W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.2A (Tc)

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