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产品简介:
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安森美半导体(ON Semiconductor)的NTHD3133PFT3G是一款增强型功率MOSFET,属于P沟道器件,常用于需要高效功率管理的电子系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路,用于提高电源转换效率并减少能量损耗。 2. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中,用于电池充放电管理和电源路径控制。 3. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,实现对电机启停和转速的控制。 4. 工业自动化:用于工业控制系统中的功率开关,如PLC模块、传感器供电控制等。 5. 汽车电子:应用于车载电源系统、LED照明驱动、车载充电器等场景,满足汽车环境对高可靠性和稳定性的要求。 该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合高频开关应用,有助于减小系统尺寸并提升整体能效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管(隔离式) |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NTHD3133PFT3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 80 毫欧 @ 3.2A,4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A (Tj) |