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Datasheet下载- 型号： IRFH3707TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFH3707TR2PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH3707TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH3707TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH3707TR2PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)。您可以下载IRFH3707TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH3707TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFH3707TR2PBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于高性能、低导通电阻的MOSFET器件，广泛应用于需要高效能开关性能的电源管理系统中。其主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：常用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的同步整流型降压（Buck）转换器，提供高效率的电压转换，尤其适用于负载点（POL）电源设计。 2. 电源管理模块：在电池供电设备（如移动设备、便携式仪器）中，作为开关元件实现低功耗、高效率的电源控制。 3. 电机驱动电路：适用于小型直流电机或步进电机的驱动，常见于消费类电器、电动工具和工业控制系统中。 4. 热插拔与负载开关：可用于防止电流浪涌的热插拔控制器或高侧负载开关，保护后级电路。 5. LED照明驱动：在大功率LED驱动电源中作为开关管，支持PWM调光等高效控制方式。 6. 汽车电子系统：虽非车规级主控器件，但在部分车载辅助电源系统或车载充电设备中也有应用。 IRFH3707TR2PBF具有低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)），有助于减少开关损耗和导通损耗，提升整体能效。其采用TSDSON-8封装，体积小，适合高密度PCB布局，广泛用于对空间和效率要求较高的现代电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33MOSFET MOSFT 30V 12A 12.4mOhm 5.4nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH3707TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH3707TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.8 W |
| Pd-功率耗散 | 2.8 W |
| Qg-GateCharge | 5.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 5.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 755pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.4 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN （3x3） |
| 其它名称 | IRFH3707TR2PBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 9.9 ns |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 3x3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 29A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh3707pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh3707pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
