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  • 型号: IRF9Z24NL
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z24NL由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z24NL价格参考。International RectifierIRF9Z24NL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9Z24NL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9Z24NL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF9Z24NL的MOSFET属于P沟道功率MOSFET,常用于需要高效开关和电源管理的场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性,适用于多种电子系统中的功率控制。

其典型应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,提高电源转换效率,降低损耗。
2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,实现对电机启停和方向的控制。
3. 电池供电设备:如笔记本电脑、便携式充电器、UPS(不间断电源)等,用于电池充放电管理和电源切换。
4. 工业自动化:作为功率开关用于PLC、继电器驱动、传感器供电控制等。
5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明控制、电动窗或座椅等部件的驱动电路。

该MOSFET采用TO-220封装,便于散热,适合中等功率应用场景。设计中常与N沟道MOSFET配对使用于H桥电路或高低边开关结构中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 55V 12A TO-262

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRF9Z24NL

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

350pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

19nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

175 毫欧 @ 7.2A,10V

供应商器件封装

TO-262

其它名称

*IRF9Z24NL

功率-最大值

3.8W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

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