Datasheet下载- 型号： NVD5862NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5862NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5862NT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5862NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD5862NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD5862NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的NVD5862NT4G是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS)：NVD5862NT4G因其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于开关电源中的功率开关，提高效率并减少能量损耗。 2. 直流-直流转换器：在降压、升压或反激式转换器中，该MOSFET可用作主开关或同步整流器，提供高效且稳定的电压转换。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机控制，能够实现高效的PWM调速及方向控制，同时保持较低的功耗。 4. 负载切换：在需要频繁开启或关闭高电流负载的应用中（如汽车电子系统），此器件可作为理想的负载切换开关。 5. 电池管理：用于保护电路以防止过充、过放以及短路等情况发生；也可用作电池组内的均衡器组件。 6. 通信设备：包括基站、路由器等通讯设施中的信号调节与功率处理部分。 7. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、平板充电器等领域，提供紧凑设计的同时确保高性能表现。 8. 工业自动化：参与构建PLC控制器、伺服驱动器等工业级产品中的核心元件之一。 总之，NVD5862NT4G凭借其卓越的电气性能，在众多需要高效能功率转换和控制的场合下均能发挥重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NVD5862NT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 48A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 4.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Ta）， 98A （Tc） |
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