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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ24由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ24价格参考。VishayIRFZ24封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFZ24参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ24 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFZ24 是一款常用的 N 沙漠型 MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:IRFZ24 常用于开关电源(SMPS)中的功率开关元件,适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,因其具有较低的导通电阻和良好的开关特性。 2. 电机驱动:该MOSFET可用于直流电机、步进电机的控制电路中,作为高效的开关元件,实现对电机速度和方向的控制。 3. 负载开关:在需要控制高电流负载的场合,如LED照明、加热元件或风扇控制中,IRFZ24可作为电子开关使用,具备快速响应和低损耗的优点。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和小型逆变器中,IRFZ24用于将直流电转换为交流电,支持系统的稳定运行。 5. 电池管理系统:在电池充放电保护电路中,用作高边或低边开关,控制电流流向,防止过流与短路。 6. 工业自动化与嵌入式系统:广泛应用于PLC、传感器模块、继电器替代方案等工业控制设备中,提升系统效率与可靠性。 IRFZ24凭借其耐用性、性价比及易用性,成为众多中低功率应用中的首选MOSFET之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 17A TO-220ABMOSFET N-Chan 60V 17 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFZ24- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFZ24 |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 42 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFZ24 |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 功率耗散 | 3.7 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |