【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IXTA10P50PTRL】封装/厂家_IXTA10P50PTRL中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXTA10P50PTRL

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IXTA10P50PTRL
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IXTA10P50PTRL产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA10P50PTRL由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA10P50PTRL价格参考。IXYSIXTA10P50PTRL封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 500V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）。您可以下载IXTA10P50PTRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTA10P50PTRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXTA10P50PTRL是一款N沟道功率MOSFET，主要应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。以下是其典型应用场景：

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS)：用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等，作为主开关管或同步整流管。
   - 电压调节模块 (VRM)：在计算机和其他电子设备中，用于动态调节电压以满足不同负载需求。

 2. 电机驱动
   - 直流电机控制：通过PWM（脉宽调制）技术实现速度和方向的精确控制。
   - 步进电机和伺服电机驱动：用于工业自动化设备中的精密运动控制。

 3. 逆变器和变频器
   - 太阳能逆变器：将直流电转换为交流电，用于太阳能发电系统。
   - 变频器：用于空调、冰箱等家电以及工业设备中，实现节能和高效运行。

 4. 电池管理系统 (BMS)
   - 充放电保护：用于锂离子电池组的过流、短路保护。
   - 均衡电路：平衡电池组中各单体电池的电压，延长电池寿命。

 5. 负载切换
   - 电子开关：用于汽车电子、消费电子中的负载通断控制。
   - 热插拔保护：在服务器和通信设备中防止插入或拔出时产生浪涌电流。

 6. 工业应用
   - 焊接设备：提供高效率的电流输出，确保焊接质量。
   - 电磁阀驱动：用于工业自动化设备中的快速响应控制。

 特性优势
- 高耐压：额定电压500V，适用于高压环境。
- 低导通电阻：减少功率损耗，提高效率。
- 快速开关速度：降低开关损耗，适合高频应用。
- 高可靠性：适合恶劣工作条件下的长期稳定运行。

该型号适用于需要高性能、高可靠性的电力电子设备，广泛应用于工业、消费电子和新能源领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	IXYS
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	IXTA10P50PTRL
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	PolarP™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2840pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1 欧姆 @ 5A，10V
供应商器件封装	TO-263 （IXTA）
其它名称	IXTA10P50PTRLCT
功率-最大值	300W
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10A （Tc）

样品试用

万种样品免费试用

去申请

IXTA10P50PTRL 相关产品

IRFIB5N65A

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系销售

TPN3300ANH,LQ

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

价格：￥2.97-￥6.93

联系销售

IXTT11P50

品牌：IXYS

价格：￥83.33-￥83.33

联系销售

STH180N10F3-2

品牌：STMicroelectronics

价格：

联系销售

IRLR120PBF

品牌：Vishay Siliconix

价格：￥3.18-￥3.18

联系销售

IRF7807A

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

STS5NF60L

品牌：STMicroelectronics

价格：

联系销售

IRF3706S

品牌：Infineon Technologies

价格：

猜你喜欢最新产品推荐其他制造商

PDF Datasheet 数据手册内容提取

PolarPTM IXTA10P50P V = - 500V DSS Power MOSFET IXTP10P50P I = - 10A D25 IXTQ10P50P R  1 P-Channel Enhancement Mode DS(on) IXTH10P50P Avalanche Rated TO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP) TO-3P (IXTQ) G G S D G D (Tab) DS D (Tab) S D (Tab) TO-247 (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V T = 25C to 150C - 500 V DSS J V T = 25C to 150C, R = 1M - 500 V DGR J GS V Continuous 20 V GSS G V Transient 30 V D GSM S D (Tab) I T = 25C - 10 A D25 C I T = 25C, Pulse Width Limited by T - 30 A G = Gate D = Drain DM C JM S = Source Tab = Drain I T = 25C - 10 A A C E T = 25C 1.5 J AS C dv/dt I  I , V  V , T  150C 10 V/ns S DM DD DSS J P T = 25C 300 W D C Features T -55 ... +150 C J TJM 150 C International Standard Packages T -55 ... +150 C stg Avalanche Rated T 1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s 300 C Rugged PolarPTM Process L T Plastic Body for 10s 260 C Low Package Inductance SOLD Fast Intrinsic Diode M Mounting Torque (TO-3P,TO-220 & TO-247) 1.13/10 Nm/lb.in d Weight TO-263 2.5 g TO-220 3.0 g Advantages TO-3P 5.5 g TO-247 6.0 g  Easy to Mount  Space Savings  High Power Density Symbol Test Conditions Characteristic Values (T = 25C, Unless Otherwise Specified) Min. Typ. Max. J Applications BV V = 0V, I = - 250A - 500 V DSS GS D  High-Side Switches V V = V , I = - 250A - 2.0 - 4.5 V GS(th) DS GS D  Push Pull Amplifiers I V = 20V, V = 0V 100 nA  DC Choppers GSS GS DS  Automatic Test Equipment I V = V , V = 0V - 10 A DSS DS DSS GS  Current Regulators T = 125C - 250 A J R V = -10V, I = 0.5 • I , Note 1 1  DS(on) GS D D25 © 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved DS99911D(2/15)

IXTA10P50P IXTQ10P50P IXTP10P50P IXTH10P50P Symbol Test Conditions Characteristic Values (T = 25C, Unless Otherwise Specified) Min. Typ. Max. J g V = -10V, I = 0.5 • I , Note 1 6.5 11 S fs DS D D25 C 2840 pF iss C V = 0V, V = - 25V, f = 1MHz 275 pF oss GS DS C 42 pF rss t 20 ns d(on) Resistive Switching Times t 28 ns r V = -10V, V = 0.5 • V , I = 0.5 • I t GS DS DSS D D25 52 ns d(off) R = 3.3 (External) t G 44 ns f Q 50 nC g(on) Q V = -10V, V = 0.5 • V , I = 0.5 • I 17 nC gs GS DS DSS D D25 Q 18 nC gd R 0.42C/W thJC R (TO-3P & TO-247) 0.25 C/W thCS (TO-220) 0.50 C/W Source-Drain Diode Symbol Test Conditions Characteristic Values (T = 25C, Unless Otherwise Specified) Min. Typ. Max. J I V = 0V - 10 A S GS I Repetitive, Pulse Width Limited by T - 40 A SM JM V I = - 5A, V = 0V, Note 1 - 3 V SD F GS t 414 ns rr I = - 5A, -di/dt = -100A/s Q F 5.90 C RM V = -100V, V = 0V I R GS - 28.6 A RM Note 1: Pulse test, t  300s, duty cycle, d  2%. IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions. IXYS MOSFETs and IGBTs are covered 4,835,592 4,931,844 5,049,961 5,237,481 6,162,665 6,404,065 B1 6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2 7,157,338B2 by one or more of the following U.S. patents:4,860,072 5,017,508 5,063,307 5,381,025 6,259,123 B1 6,534,343 6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2 4,881,106 5,034,796 5,187,117 5,486,715 6,306,728 B1 6,583,505 6,710,463 6,771,478 B27,071,537

IXTA10P50P IXTQ10P50P IXTP10P50P IXTH10P50P Fig. 1. Output Characteristics @ TJ = 25ºC Fig. 2. Extended Output Characteristics @ TJ = 25ºC -10 -26 -9 VGS = -10V VGS = -10V - 7V - 8V -22 -8 -7 -18 - 7V es -6 - 6V es per per -14 m -5 m A A - D -4 - D -10 - 6V I I -3 -6 -2 - 5V - 5V -1 -2 0 0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10 0 -4 -8 -12 -16 -20 -24 -28 -32 VDS - Volts VDS - Volts Fig. 4. RDS(on) Normalized to ID = - 5A Value vs. Fig. 3. Output Characteristics @ TJ = 125ºC Junction Temperature -10 2.6 -9 V G S = -- 71V0V VGS = -10V 2.2 -8 peres --76 - 6V malized 1.8 I D = -10A Am -5 Nor 1.4 I D = - 5A I - D -4 - on) S( D 1.0 -3 - 5V R -2 0.6 -1 0 0.2 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 V - Volts T - Degrees Centigrade DS J Fig. 5. RDS(on) Normalized to ID = - 5A Value vs. Fig. 6. Maximum Drain Current vs. Drain Current Case Temperature 2.4 -11 2.2 VGS = -10V -9 2.0 TJ = 125ºC d e z ormali 1.8 peres -7 N 1.6 m - S(on) 1.4 I - AD -5 D R 1.2 -3 TJ = 25ºC 1.0 -1 0.8 -2 -6 -10 -14 -18 -22 -26 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 ID - Amperes Tc - Degrees Centigrade © 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

IXTA10P50P IXTQ10P50P IXTP10P50P IXTH10P50P Fig. 7. Input Admittance Fig. 8. Transconductance -16 24 TJ = - 40ºC -14 20 -12 16 25ºC s -10 s e n mper -8 eme 12 A TJ = 125ºC Si 125ºC I - D -6 - 4205ººCC g - f s 8 -4 4 -2 0 0 -3.5 -4.0 -4.5 -5.0 -5.5 -6.0 -6.5 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 VGS - Volts ID - Amperes Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode Fig. 10. Gate Charge -30 -10 -9 VDS = - 250V -25 -8 I D = - 5A I G = -1mA -7 -20 - AmperesS -15 TJ = 125ºC V - VoltsGS ---654 I -10 TJ = 25ºC -3 -2 -5 -1 0 0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 -3.0 -3.5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 VSD - Volts QG - NanoCoulombs Fig. 11. Capacitance Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area 10,000 -100 f = 1 MHz RDS(on) Limit s Farad1,000 Ciss -10 2150µ0sµs e - Pico mperes 1ms acitanc 100 Coss I - AD-1 DC 1100m0mss p a C TJ = 150ºC Crss TC = 25ºC Single Pulse 10 -0.1 0 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 -10 -100 -1000 VDS - Volts VDS - Volts IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXTA10P50P IXTQ10P50P IXTP10P50P IXTH10P50P Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance 1 W C / - ºC 0.1 h)J Z(t 0.01 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width - Seconds © 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

IXTA10P50P IXTQ10P50P IXTP10P50P IXTH10P50P TO-263 (IXTA) Outline TO-247 (IXTH) Outline P 1 2 3 e Terminals: 1 - Gate 2 - Drain Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 4.7 5.3 .185 .209 A 2.2 2.54 .087 .102 1 A 2.2 2.6 .059 .098 2 b 1.0 1.4 .040 .055 b 1.65 2.13 .065 .084 1 b 2.87 3.12 .113 .123 2 C .4 .8 .016 .031 D 20.80 21.46 .819 .845 E 15.75 16.26 .610 .640 e 5.20 5.72 0.205 0.225 L 19.81 20.32 .780 .800 L1 4.50 .177 P 3.55 3.65 .140 .144 Q 5.89 6.40 0.232 0.252 R 4.32 5.49 .170 .216 TO-220 (IXTP) Outline TO-3P (IXTQ) Outline Pins: 1 - Gate 2 - Drain IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions. IXYS REF: T_10P50P(B5)5-21-08-B

Disclaimer Notice - Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, users should independently evaluate the suitability of and test each product selected for their own applications. Littelfuse products are not designed for, and may not be used in, all applications. Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.