| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CEDM7001 TR由Central Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CEDM7001 TR价格参考。Central SemiconductorCEDM7001 TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CEDM7001 TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CEDM7001 TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CEDM7001 TR 是由 Central Semiconductor Corp. 生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别下的单个器件。该型号的 MOSFET 通常适用于多种电子电路和系统设计中,具体应用场景包括但不限于以下方面: 1. 电源管理:CEDM7001 TR 可用于 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)、负载开关等电源管理应用中。其低导通电阻特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动与控制:在小型电机驱动电路中,该 MOSFET 可作为开关元件使用,实现对电机速度和方向的有效控制。 3. 信号切换:在需要高频信号切换的应用场合,如音频设备或通信系统中的信号路由选择器,CEDM7001 TR 的快速开关能力和良好的电气性能使其成为理想选择。 4. 电池保护与管理:可用于电池组的过充过放保护电路中,通过精确控制电流流动来保护电池免受损害。 5. 消费电子产品:广泛应用于各种便携式设备,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及可穿戴设备内的电路中,提供高效的电力传输和控制功能。 6. 工业自动化:在工业领域内,它也适合用作传感器接口、继电器替代品以及数据采集系统的组成部分。 总之,CEDM7001 TR 凭借其优异的性能参数,在众多需要高效能开关或调节电流的应用场景下均能发挥重要作用。然而,实际应用时还需根据具体需求考虑其他配套组件及整体设计方案以确保最佳效果。
| 参数 | 数值 |
| Ciss-输入电容 | 9 pF |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET N-Channel MOSFET 20V 100mA |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 | |
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Central Semiconductor CEDM7001 TR |
| 产品型号 | CEDM7001 TR |
| Pd-PowerDissipation | 100 mW |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| Qg-栅极电荷 | 0.566 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 900 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.9 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 商标 | Central Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 900 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | DFN1006B-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 系列 | CEDM7001 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |