ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDN5618P
Datasheet下载- 型号： FDN5618P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN5618P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN5618P价格参考。Fairchild SemiconductorFDN5618P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 1.25A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3。您可以下载FDN5618P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN5618P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDN5618P是一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET类别，广泛应用于低电压、低功耗的开关场景。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）、小封装（如SOT-23），适合空间受限的设计。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关，利用其低功耗特性延长电池续航。 2. 电源开关与转换：用于DC-DC转换器、LDO使能控制或电源多路复用，实现高效电能分配。 3. 逻辑电平转换：在不同电压域的数字电路间进行信号电平转换，例如3.3V与1.8V系统之间的接口匹配。 4. LED驱动与控制：作为LED的开关元件，适用于背光控制或指示灯驱动。 5. 电机驱动与继电器驱动：用于微型直流电机或固态继电器的控制电路中，提供快速开关响应。 6. 消费类电子产品：如智能家居设备、无线耳机、充电器等内部电路中的信号开关或保护电路。 FDN5618P因其高可靠性、小型化和良好热性能，特别适合高密度PCB布局和对稳定性要求较高的应用。同时，其符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。总体而言，该器件在需要高效、紧凑、低功耗开关解决方案的场合表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3MOSFET SSOT-3 P-CH 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN5618PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN5618P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 170 毫欧 @ 1.25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN5618PDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 16.5 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.25A （Ta） |
| 系列 | FDN5618P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN5618P_NL |
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