Datasheet下载- 型号： IRLR120PBF
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR120PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR120PBF价格参考。VishayIRLR120PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR120PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR120PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRLR120PBF 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效、低电压控制的功率开关场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，适用于笔记本电脑、移动设备和电池供电系统中的节能设计。 2. 电机控制：用于小型电机驱动电路中，实现对电机启停与方向的高效控制，常见于电动工具、无人机及机器人系统。 3. 负载开关与电源分配：在服务器、通信设备和工业控制系统中，作为高效率的电子开关使用，用于控制电源的通断和多路电源切换。 4. LED照明：用于LED驱动电路中，实现亮度调节和电流控制，具备响应快、效率高的优势。 5. 汽车电子：适用于车载电器、车身控制模块（如车窗、门锁控制）等低压功率控制应用。 该MOSFET具有低导通电阻、封装小巧、支持逻辑电平驱动等特点，适合在中低功率、高频率开关环境中使用，有助于提升系统效率并简化散热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAKMOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLR120PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR120PBFIRLR120PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 64 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270 毫欧 @ 4.6A，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.7A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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