Datasheet下载- 型号： SI5403DC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5403DC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5403DC-T1-GE3价格参考。VishaySI5403DC-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5403DC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5403DC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5403DC-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的电子设备中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和良好的热性能，适合用于负载开关、电源管理及电池供电设备中的 DC-DC 转换器。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理系统，用于高效能电池充电与放电控制。 2. 电源适配器与AC/DC转换器：在同步整流电路中作为高效整流元件，提升整体能效。 3. 电机控制与驱动电路：适用于小型电机或电磁阀等感性负载的开关控制。 4. 负载开关应用：用于系统中对特定模块进行电源隔离，实现节能与安全控制。 5. 工业自动化设备：在PLC、传感器模块及工业控制系统中用作功率开关元件。 该MOSFET封装为TSOP，便于贴片安装，适合高密度PCB布局。其优异的性能使其成为多种中低功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8MOSFET 30V 6.0A 6.3W 30mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5403DC-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5403DC-T1-GE3SI5403DC-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 140 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1340pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5403DC-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 6.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Hex Drain |
| 零件号别名 | SI5403DC-GE3 |
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