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STH180N10F3-2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STH180N10F3-2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH180N10F3-2价格参考。STMicroelectronicsSTH180N10F3-2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 315W(Tc) H2Pak-2。您可以下载STH180N10F3-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STH180N10F3-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STH180N10F3-2是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等开关电源中,作为高效的开关元件。 - 降压/升压转换器:在电压调节电路中,充当高频开关,实现高效的能量转换。 - 负载切换:用于控制负载的通断,例如在电池管理系统中,保护电池免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器中的小型电机驱动,提供精确的电流控制。 - H桥电路:用于双向电机控制,通过MOSFET的快速开关特性实现电机正转和反转。 3. 工业自动化 - 固态继电器:替代传统机械继电器,用于高可靠性的开关应用。 - 工业控制器:在PLC(可编程逻辑控制器)和其他工业设备中,用作信号放大和功率输出。 4. 消费电子 - 充电器和电池保护:用于手机、平板电脑等便携式设备的充电电路中,提供高效的电流传输和保护功能。 - 音频放大器:在低失真音频电路中,用作功率输出级,提高音质表现。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等,需要高效、可靠的开关元件。 - LED照明:用于汽车LED灯的驱动电路,提供稳定的电流输出。 6. 通信设备 - 基站电源:在通信基站的电源模块中,作为高效开关元件,降低功耗。 - 信号调理电路:用于射频前端或其他信号处理电路中,提供低噪声和高线性度性能。 特点总结 - 低导通电阻 (Rds(on)):减少功率损耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。 - 优异的热性能:能够在高温环境下稳定工作。 - 高可靠性:适合各种严苛的工作条件。 综上所述,STH180N10F3-2广泛应用于需要高效功率转换、快速开关响应和高可靠性的场景,是许多现代电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A H2PAKMOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STH180N10F3-2STripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STH180N10F3-2 |
| Pd-PowerDissipation | 315 W |
| Pd-功率耗散 | 315 W |
| Qg-GateCharge | 114.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 114.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 97.1 ns |
| 下降时间 | 6.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6665pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 114.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 毫欧 @ 60A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | H²PAK |
| 其它名称 | 497-11216-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF250650?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 315W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | H2PAK-2 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 180A (Tc) |
| 系列 | STH180N10F3-2 |