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  • 型号: STH180N10F3-2
  • 制造商: STMicroelectronics
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STH180N10F3-2产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STH180N10F3-2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH180N10F3-2价格参考。STMicroelectronicsSTH180N10F3-2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 315W(Tc) H2Pak-2。您可以下载STH180N10F3-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STH180N10F3-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STH180N10F3-2是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等开关电源中,作为高效的开关元件。
   - 降压/升压转换器:在电压调节电路中,充当高频开关,实现高效的能量转换。
   - 负载切换:用于控制负载的通断,例如在电池管理系统中,保护电池免受过流或短路的影响。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器中的小型电机驱动,提供精确的电流控制。
   - H桥电路:用于双向电机控制,通过MOSFET的快速开关特性实现电机正转和反转。

 3. 工业自动化
   - 固态继电器:替代传统机械继电器,用于高可靠性的开关应用。
   - 工业控制器:在PLC(可编程逻辑控制器)和其他工业设备中,用作信号放大和功率输出。

 4. 消费电子
   - 充电器和电池保护:用于手机、平板电脑等便携式设备的充电电路中,提供高效的电流传输和保护功能。
   - 音频放大器:在低失真音频电路中,用作功率输出级,提高音质表现。

 5. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器等,需要高效、可靠的开关元件。
   - LED照明:用于汽车LED灯的驱动电路,提供稳定的电流输出。

 6. 通信设备
   - 基站电源:在通信基站的电源模块中,作为高效开关元件,降低功耗。
   - 信号调理电路:用于射频前端或其他信号处理电路中,提供低噪声和高线性度性能。

 特点总结
- 低导通电阻 (Rds(on)):减少功率损耗,提高效率。
- 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。
- 优异的热性能:能够在高温环境下稳定工作。
- 高可靠性:适合各种严苛的工作条件。

综上所述,STH180N10F3-2广泛应用于需要高效功率转换、快速开关响应和高可靠性的场景,是许多现代电子设备的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 120A H2PAKMOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 A

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STH180N10F3-2STripFET™ III

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产品型号

STH180N10F3-2

Pd-PowerDissipation

315 W

Pd-功率耗散

315 W

Qg-GateCharge

114.6 nC

Qg-栅极电荷

114.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

97.1 ns

下降时间

6.9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6665pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

114.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 毫欧 @ 60A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

H²PAK

其它名称

497-11216-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF250650?referrer=70071840

功率-最大值

315W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

4.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

H2PAK-2

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

120 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

180A (Tc)

系列

STH180N10F3-2

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