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Datasheet下载- 型号： IRFB4212PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4212PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4212PBF价格参考。International RectifierIRFB4212PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFB4212PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB4212PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFB4212PBF 是一款N沟道功率MOSFET，具有高电流、低导通电阻和优异的开关性能。该器件广泛应用于需要高效能功率控制的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，因其低导通损耗可提高能效，减少发热。 2. 电机驱动：适用于工业电机控制、电动工具及家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路，具备快速响应和高可靠性。 3. 照明系统：用于LED驱动电源，支持恒流输出与调光功能，提升照明系统的稳定性和寿命。 4. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中作为核心开关元件，实现直流到交流的高效转换。 5. 消费电子与工业控制：如充电器、适配器、自动控制模块等，满足对小型化和高效率的需求。 IRFB4212PBF采用TO-220封装，便于散热安装，适合中高功率应用。其符合RoHS标准，含铅-free（Pb-free），适用于环保型电子产品设计。综合来看，该MOSFET在追求节能、紧凑设计和稳定性能的各类电力电子系统中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 18A 72.5mOhm 15nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4212PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB4212PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 15 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 72.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 72.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 72.5 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 配置 | Single |
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