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产品简介:
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FQB8N60CFTM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于电源管理和功率转换领域。其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等,作为高效开关元件,实现电能的高效转换与调节。 2. 电机控制:可用于直流电机、步进电机等的驱动电路中,实现对电机速度与方向的精确控制。 3. 照明系统:如LED驱动电源中,用于恒流控制和调光功能,具有高效、低损耗的优点。 4. 家电控制:常见于洗衣机、空调、微波炉等家电产品中,用于控制加热元件、风扇或压缩机等负载。 5. 工业自动化:用于PLC、继电器驱动、传感器电源管理等工业控制系统中,具备高可靠性和耐用性。 该MOSFET具备高耐压(600V)、低导通电阻(典型值为0.85Ω)和高电流能力(8A),采用TO-220F封装,便于散热和安装,适用于多种中高功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB8N60CFTM |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | FRFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1255pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 3.13A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 147W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.26A (Tc) |