【未分类_STW31N65M5】封装/厂家_STW31N65M5中文资料_价格

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型号： STW31N65M5
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STW31N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW31N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTW31N65M5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载STW31N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW31N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STW31N65M5是一款N沟道增强型功率MOSFET，其应用场景广泛，主要适用于需要高效开关和低导通损耗的电力电子系统。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - STW31N65M5适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。
   - 其高电压耐受能力（650V）使其适合用于高压输入环境下的电源适配器或工业电源。
   - 在PFC（功率因数校正）电路中，该器件可作为主开关管使用。

 2. 电机驱动
   - 用于中小型电机驱动系统，例如家用电器中的风扇、水泵或电动工具。
   - 在H桥或半桥拓扑结构中，作为开关元件控制电机的转向和速度。

 3. 逆变器
   - 适用于太阳能微逆变器或其他小型逆变器系统。
   - 提供高效的直流到交流转换，降低能量损耗。

 4. 电池管理系统（BMS）
   - 在电池充放电保护电路中用作开关元件，确保电池的安全运行。
   - 可用于电动车、储能系统或便携式设备的电池管理。

 5. 负载切换与保护
   - 在需要快速开启/关闭大电流负载的应用中，如LED照明、汽车电子等。
   - 提供过流保护功能，防止电路损坏。

 6. 家电与消费电子产品
   - 用于电磁炉、微波炉、空调等家电产品的功率控制模块。
   - 在音频放大器中作为输出级开关元件。

 技术优势：
- 低导通电阻（典型值为0.28Ω），减少功率损耗。
- 高击穿电压（650V），适合高压应用。
- 快速开关特性，支持高频工作，提高效率并减小磁性元件体积。
- 高雪崩能量能力，增强在异常条件下的耐用性。

综上所述，STW31N65M5因其高性能和可靠性，非常适合用于工业、消费类和汽车领域的多种功率转换及控制应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 650V 22A TO-247MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	13.9 A
Id-连续漏极电流	13.9 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW31N65M5MDmesh™ V
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STW31N65M5
Pd-PowerDissipation	150 W
Pd-功率耗散	150 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	148 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	148 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	650 V
Vds-漏源极击穿电压	650 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	816pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	45nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	148 毫欧 @ 11A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-247
其它名称	497-13122-5
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253437?referrer=70071840
功率-最大值	150W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	148 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
标准包装	30
汲极/源极击穿电压	650 V
漏极连续电流	13.9 A
漏源极电压(Vdss)	650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	22A （Tc）
系列	STW31N65M5