Datasheet下载- 型号： SI7476DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7476DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7476DP-T1-E3价格参考。VishaySI7476DP-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7476DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7476DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7476DP-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件采用双封装（Dual Pak）设计，具有较低的导通电阻和良好的热性能，适合高密度电源管理应用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的电池供电系统，实现高效的电源开关与负载管理。 2. DC-DC 转换器：适用于同步整流降压或升压转换器，提高能量转换效率，减小电源模块体积。 3. 负载开关电路：在服务器、通信设备和工业控制系统中，作为高侧或低侧开关使用，控制外围设备的供电。 4. 马达驱动与继电器替代：用于小型电机控制或固态继电器设计，提供快速开关响应并减少机械磨损。 5. 汽车电子系统：如车载娱乐系统、车身控制模块等，满足对可靠性和耐温性能的要求。 该 MOSFET 具有良好的耐用性和稳定性，广泛应用于消费类电子、工业自动化及部分汽车电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7476DP-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 177nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7476DP-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta） |
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