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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIB5N65A由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIB5N65A价格参考。VishayIRFIB5N65A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFIB5N65A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFIB5N65A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFIB5N65A 是 Vishay Siliconix 推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于高压 MOSFET 器件,具有高耐压、低导通电阻和高效率的特点。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等,适用于需要高效率和高稳定性的电源系统。 2. 电机驱动:用于工业自动化、电动工具、电动车等电机控制电路中,作为功率开关元件,具备良好的开关特性和热稳定性。 3. 照明系统:如LED驱动电源、电子镇流器等,适用于高频率开关工作的照明控制场合。 4. 家用电器:如变频空调、电磁炉、洗衣机等,用于功率调节和控制电路中。 5. 新能源应用:包括太阳能逆变器、储能系统、电动车充电模块等,适用于高电压工作环境下的功率管理。 该器件采用 TO-220 封装,具备良好的散热性能和较高的可靠性,适合中高功率应用场景。其650V的漏源击穿电压使其在高压系统中具有较强的适应性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFIB5N65A |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1417pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 930 毫欧 @ 3.1A,10V |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | *IRFIB5N65A |
功率-最大值 | 60W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.1A (Tc) |