Datasheet下载- 型号： IXFH12N120
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH12N120由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH12N120价格参考。IXYSIXFH12N120封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH12N120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH12N120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH12N120是一款高压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单功率MOSFET器件，具有1200V的高漏源击穿电压和12A的连续漏极电流能力。该型号广泛应用于需要高电压、高效率开关性能的电力电子系统中。 典型应用场景包括：工业电机驱动、逆变器系统（如太阳能逆变器）、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）以及高压直流-交流转换设备。由于其具备优异的开关速度与热稳定性，IXFH12N120适用于高频工作环境，有助于减小磁性元件体积并提高整体能效。 此外，该器件常用于感应加热设备、电焊机电源模块以及高电压脉冲功率系统中，胜任在高温、高电压条件下长期稳定运行的任务。其TO-247封装形式有利于散热，适合大功率应用中的热管理需求。 总之，IXFH12N120凭借其高耐压、良好导通特性和可靠性，是高压功率转换和控制领域中的理想选择，特别适用于对系统效率和安全性要求较高的工业级设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFH12N120 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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