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  • 型号: IRFR220NPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFR220NPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR220NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR220NPBF价格参考。International RectifierIRFR220NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR220NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR220NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFR220NPBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 开关电源(SMPS)
   IRFR220NPBF适用于各种开关电源的设计,包括AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds)特性使其能够在高频开关条件下保持高效运行,适合用于计算机电源、适配器和工业电源模块。

 2. 电机驱动
   该MOSFET可用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型电机的驱动电路中。它能够承受较高的电流和电压波动,同时提供快速的开关速度,确保电机控制的精确性和稳定性。

 3. 逆变器
   在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,IRFR220NPBF可以作为功率级开关元件,实现高效的能量转换和输出调节。其耐高压特性和低损耗设计非常适合这些应用场景。

 4. 负载开关
   该器件可用作负载开关,控制电路中的电流流动。例如,在汽车电子、消费电子产品或工业设备中,IRFR220NPBF可以实现对不同负载的快速启停控制,同时减少功耗。

 5. 电池管理
   在电池管理系统(BMS)中,IRFR220NPBF可用于保护电路,防止过流、短路或反向充电等问题。其高可靠性和低导通损耗有助于延长电池寿命并提高安全性。

 6. LED驱动
   对于大功率LED照明应用,IRFR220NPBF可以用作驱动电路中的开关元件,调节LED电流以实现亮度控制和节能效果。

 技术特点支持的应用优势:
- 高击穿电压(Vds = 200V):适用于高压环境,如工业设备和汽车电子。
- 低导通电阻(Rds(on) = 0.18Ω @ Vgs = 10V):降低传导损耗,提高效率。
- 快速开关速度:适合高频开关应用,减少开关损耗。
- 高电流能力(Id = 18A):支持大功率负载需求。

综上所述,IRFR220NPBF广泛应用于需要高效功率转换、开关控制和高压处理的各种领域,特别是在工业、汽车和消费电子市场中表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 5A DPAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5 A

Id-连续漏极电流

5 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR220NPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFR220NPBF

Pd-PowerDissipation

43 W

Pd-功率耗散

43 W

Qg-GateCharge

15 nC

Qg-栅极电荷

15 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

600 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

600 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

11 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 2.9A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

43W

功率耗散

43 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

600 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

15 nC

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

5 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru220n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru220n.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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