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IRFR220NPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR220NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR220NPBF价格参考。International RectifierIRFR220NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR220NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR220NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR220NPBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) IRFR220NPBF适用于各种开关电源的设计,包括AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds)特性使其能够在高频开关条件下保持高效运行,适合用于计算机电源、适配器和工业电源模块。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型电机的驱动电路中。它能够承受较高的电流和电压波动,同时提供快速的开关速度,确保电机控制的精确性和稳定性。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,IRFR220NPBF可以作为功率级开关元件,实现高效的能量转换和输出调节。其耐高压特性和低损耗设计非常适合这些应用场景。 4. 负载开关 该器件可用作负载开关,控制电路中的电流流动。例如,在汽车电子、消费电子产品或工业设备中,IRFR220NPBF可以实现对不同负载的快速启停控制,同时减少功耗。 5. 电池管理 在电池管理系统(BMS)中,IRFR220NPBF可用于保护电路,防止过流、短路或反向充电等问题。其高可靠性和低导通损耗有助于延长电池寿命并提高安全性。 6. LED驱动 对于大功率LED照明应用,IRFR220NPBF可以用作驱动电路中的开关元件,调节LED电流以实现亮度控制和节能效果。 技术特点支持的应用优势: - 高击穿电压(Vds = 200V):适用于高压环境,如工业设备和汽车电子。 - 低导通电阻(Rds(on) = 0.18Ω @ Vgs = 10V):降低传导损耗,提高效率。 - 快速开关速度:适合高频开关应用,减少开关损耗。 - 高电流能力(Id = 18A):支持大功率负载需求。 综上所述,IRFR220NPBF广泛应用于需要高效功率转换、开关控制和高压处理的各种领域,特别是在工业、汽车和消费电子市场中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 5A DPAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
Id-连续漏极电流 | 5 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR220NPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR220NPBF |
Pd-PowerDissipation | 43 W |
Pd-功率耗散 | 43 W |
Qg-GateCharge | 15 nC |
Qg-栅极电荷 | 15 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 2.9A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 43W |
功率耗散 | 43 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 600 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 15 nC |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | 200 V |
漏极连续电流 | 5 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru220n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru220n.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 20 V |