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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMN34LN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN34LN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN34LN,135价格参考。NXP SemiconductorsPMN34LN,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMN34LN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN34LN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 PMN34LN,135 是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件采用先进的工艺技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热稳定性，适用于电池供电设备和便携式电子产品。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的电源开关和负载开关，实现对不同模块的高效供电控制，降低待机功耗。 2. 电池保护电路：在锂电池保护板中用作反向电流阻断或过放保护开关，防止电池在关机或异常状态下漏电。 3. DC-DC转换器：作为同步整流或高端开关元件，提升电源转换效率，常见于低电压、小功率的直流电源系统。 4. 便携式消费电子：如蓝牙耳机、智能手表、无线传感器等，因其小型化封装（如TSOP6）和低功耗特性，非常适合空间受限的应用。 5. 电机驱动与LED驱动：可用于微型电机的控制开关或LED背光驱动电路中的开关元件，实现精确控制。 PMN34LN,135 具有-30V的漏源电压（VDS）和-4A的连续漏极电流能力，适合中低功率应用。其增强型P沟道设计简化了驱动电路，提升了系统可靠性。由于具备优良的开关特性和热性能，该器件在工业控制、汽车电子辅助系统中也有一定应用。总体而言，它是一款高性能、高可靠性的MOSFET，适用于追求小型化和高能效的现代电子设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMN34LN,135 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7419-6 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.7A （Tsp） |
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