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  • 型号: STB100NF03L-03-1
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB100NF03L-03-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB100NF03L-03-1价格参考。STMicroelectronicsSTB100NF03L-03-1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STB100NF03L-03-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB100NF03L-03-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STB100NF03L-03-1是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力和高开关速度的特点,适用于多种功率电子应用。

该器件主要应用于以下场景:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、稳压模块等,用于提高能效和减小系统功耗。

2. 电机驱动:适用于无刷直流电机、步进电机等控制电路,提供高效的开关控制和负载能力。

3. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)、电动助力转向系统等,满足汽车环境对可靠性和耐久性的要求。

4. 工业自动化:用于PLC、伺服驱动器、变频器等工业控制设备中的功率开关。

5. 消费类电子产品:如笔记本电源适配器、智能家电、LED照明驱动等,支持小型化和高效率设计。

6. 负载开关与保护电路:作为电子开关控制负载的通断,也可用于过流或短路保护。

该MOSFET采用表面贴装封装,便于自动化生产,适合高密度PCB布局,广泛适用于需要高效、高可靠性功率控制的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 100A I2PAKMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB100NF03L-03-1STripFET™ III

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产品型号

STB100NF03L-03-1

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

上升时间

315 ns

下降时间

95 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

88nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.2 毫欧 @ 50A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I2PAK

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF64460?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

115 ns

功率-最大值

300W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

系列

STB100NF03L-03

通道模式

Enhancement

配置

Single

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