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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB100NF03L-03-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB100NF03L-03-1价格参考。STMicroelectronicsSTB100NF03L-03-1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STB100NF03L-03-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB100NF03L-03-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB100NF03L-03-1是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力和高开关速度的特点,适用于多种功率电子应用。 该器件主要应用于以下场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、稳压模块等,用于提高能效和减小系统功耗。 2. 电机驱动:适用于无刷直流电机、步进电机等控制电路,提供高效的开关控制和负载能力。 3. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)、电动助力转向系统等,满足汽车环境对可靠性和耐久性的要求。 4. 工业自动化:用于PLC、伺服驱动器、变频器等工业控制设备中的功率开关。 5. 消费类电子产品:如笔记本电源适配器、智能家电、LED照明驱动等,支持小型化和高效率设计。 6. 负载开关与保护电路:作为电子开关控制负载的通断,也可用于过流或短路保护。 该MOSFET采用表面贴装封装,便于自动化生产,适合高密度PCB布局,广泛适用于需要高效、高可靠性功率控制的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A I2PAKMOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB100NF03L-03-1STripFET™ III |
数据手册 | |
产品型号 | STB100NF03L-03-1 |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
上升时间 | 315 ns |
下降时间 | 95 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 88nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.2 毫欧 @ 50A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I2PAK |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF64460?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 115 ns |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/箱体 | I2PAK-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
系列 | STB100NF03L-03 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |