NTD14N03RT4G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD14N03RT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD14N03RT4G价格参考。ON SemiconductorNTD14N03RT4G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 2.5A（Ta） 1.04W（Ta），20.8W（Tc） DPAK。您可以下载NTD14N03RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD14N03RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD14N03RT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其应用场景主要包括以下几个方面：

 1. 开关电源（SMPS）
   - NTD14N03RT4G 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 25mΩ）和高电流能力（连续漏极电流 Id 高达 17A），使其非常适合用于开关电源中的功率开关。
   - 可应用于笔记本适配器、手机充电器、LED 驱动器等小型化、高效化的电源设计。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机驱动中，该 MOSFET 可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 适用于家用电器（如风扇、吸尘器）或工业设备中的电机控制电路。

 3. 负载切换
   - 在需要快速、高效切换负载的应用中，NTD14N03RT4G 可以作为负载开关使用。
   - 例如，在汽车电子系统中，用于控制车灯、雨刷或其他电子设备的开关。

 4. 电池管理
   - 该器件可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关，确保电池的安全运行。
   - 常见于锂离子电池组、UPS 系统或便携式设备的电池管理系统中。

 5. 信号放大与缓冲
   - 在某些低频信号放大或缓冲电路中，NTD14N03RT4G 可用作放大器元件，提供较高的电流输出能力。

 6. 逆变器
   - 在小型逆变器中，该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器或应急电源系统。

 特性优势：
- 低导通电阻：减少功耗，提高效率。
- 高雪崩能量能力：增强在过载条件下的可靠性。
- 快速开关速度：降低开关损耗，适合高频应用。

综上所述，NTD14N03RT4G 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域，特别是在需要高效功率转换和开关控制的场景中表现出色。

NTD14N03RT4G产品简介：

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NTD14N03RT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其应用场景主要包括以下几个方面：

 1. 开关电源（SMPS）
   - NTD14N03RT4G 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 25mΩ）和高电流能力（连续漏极电流 Id 高达 17A），使其非常适合用于开关电源中的功率开关。
   - 可应用于笔记本适配器、手机充电器、LED 驱动器等小型化、高效化的电源设计。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机驱动中，该 MOSFET 可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 适用于家用电器（如风扇、吸尘器）或工业设备中的电机控制电路。

 3. 负载切换
   - 在需要快速、高效切换负载的应用中，NTD14N03RT4G 可以作为负载开关使用。
   - 例如，在汽车电子系统中，用于控制车灯、雨刷或其他电子设备的开关。

 4. 电池管理
   - 该器件可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关，确保电池的安全运行。
   - 常见于锂离子电池组、UPS 系统或便携式设备的电池管理系统中。

 5. 信号放大与缓冲
   - 在某些低频信号放大或缓冲电路中，NTD14N03RT4G 可用作放大器元件，提供较高的电流输出能力。

 6. 逆变器
   - 在小型逆变器中，该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器或应急电源系统。

 特性优势：
- 低导通电阻：减少功耗，提高效率。
- 高雪崩能量能力：增强在过载条件下的可靠性。
- 快速开关速度：降低开关损耗，适合高频应用。

综上所述，NTD14N03RT4G 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域，特别是在需要高效功率转换和开关控制的场景中表现出色。