【未分类_HUF75639P3】封装/厂家_HUF75639P3中文资料_价格

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型号： HUF75639P3
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75639P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75639P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75639P3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HUF75639P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75639P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HUF75639P3是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别，广泛应用于各种电力电子和信号处理场景中。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - HUF75639P3具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度，非常适合用于开关电源中的功率开关。例如，在降压、升压或反激式转换器中作为主开关管使用。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中，HUF75639P3可以用作功率级开关，控制电机的启停、转向和速度调节。

 3. 负载开关
   - 由于其低导通电阻特性，HUF75639P3可以作为高效的负载开关，用于便携式设备（如手机、平板电脑等）中的电源管理，减少功耗并提高效率。

 4. 电池保护电路
   - 在电池管理系统（BMS）中，HUF75639P3可以用作电池充放电路径的开关，防止过流、短路或过度放电等问题。

 5. LED驱动
   - 在恒流或恒压LED驱动电路中，HUF75639P3可以用作开关元件，实现对LED亮度的精确控制。

 6. 信号切换
   - 该MOSFET适用于高速信号切换应用，例如在音频设备或数据通信系统中，作为信号路径的开关。

 7. 汽车电子
   - 在汽车电子领域，HUF75639P3可用于车身控制模块（BCM）、电动车窗、雨刷控制系统等需要高效功率开关的应用。

 8. 消费类电子产品
   - 包括充电器、适配器、家用电器等，HUF75639P3能够提供稳定的性能和可靠性。

 总结
HUF75639P3凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合多种中低功率应用场合。它特别适用于需要高效能、低损耗和快速响应的电路设计，是许多现代电子设备的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 56A TO-220ABMOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	56 A
Id-连续漏极电流	56 A
品牌	Fairchild Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75639P3UltraFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	HUF75639P3
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	200 W
Pd-功率耗散	200 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	25 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	25 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	60 ns
下降时间	25 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	130nC @ 20V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	25 毫欧 @ 56A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
典型关闭延迟时间	20 ns
功率-最大值	200W
包装	管件
单位重量	1.800 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	56A （Tc）
系列	HUF75639
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	HUF75639P3_NL