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SIR890DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR890DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR890DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR890DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 5W(Ta),50W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR890DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR890DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR890DP-T1-GE3 是一款 N 沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)、负载点转换器(POL)等应用,提供高效的功率转换和稳定的电压输出。 2. 电机控制:用于小型直流电机驱动和控制,支持高效启动、停止及速度调节功能,适用于家用电器、工业设备及消费电子产品中的电机驱动。 3. 电池管理:在电池保护电路中作为开关元件,实现过流、短路保护以及充放电管理,广泛应用于锂电池组、移动电源和其他便携式设备。 4. 负载切换:用作电子负载开关,在各种系统中实现负载的快速开启与关闭,确保系统的稳定性和安全性,如 USB 充电端口保护、负载隔离等。 5. 通信设备:在基站、路由器及其他通信设备中作为信号路径或电源路径的开关,保证信号完整性并优化功耗。 6. 汽车电子:可用于车载电子设备,例如电动窗户、座椅调节、LED 照明控制等场景,满足汽车级可靠性要求(若符合相关认证标准)。 SIR890DP-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和紧凑封装(TrenchFET Gen III, PowerPAK® 1212-8S),非常适合需要高效能、小尺寸解决方案的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8MOSFET 20V 50A 50W 2.9mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR890DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIR890DP-T1-GE3SIR890DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 5 W |
Pd-功率耗散 | 5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 18 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2747pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.9 毫欧 @ 10A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SIR890DP-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
功率-最大值 | 50W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 50 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/TrenchFET_N.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
系列 | SIRxxxDP |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
零件号别名 | SIR890DP-GE3 |