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产品简介:
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STMicroelectronics的STP16NF06FP是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压(60V)和大电流承载能力(连续漏极电流达8A),适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关及电池管理系统等。其封装形式(如TO-220FP)便于散热,适合工业自动化设备、汽车电子系统(如车载充电器、电控单元)以及消费类电子产品中的功率管理模块。此外,该MOSFET也可用于逆变器、UPS系统及LED照明驱动电路中,提供高效可靠的开关性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220FP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STP16NF06FP |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | STripFET™ II |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 315pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 8A,10V |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF219915?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 25W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |