Datasheet下载- 型号： SUP50N10-21P-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUP50N10-21P-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP50N10-21P-GE3价格参考。VishaySUP50N10-21P-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUP50N10-21P-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUP50N10-21P-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUP50N10-21P-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等，提供高效能和高可靠性。 2. 电机控制：适用于直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路，实现快速开关和精确控制。 3. 负载开关：在电池供电设备中作为负载开关使用，实现低导通电阻和低功耗。 4. 逆变器与变频器：用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）或小型变频器中，支持高效能量转换。 5. 工业自动化：在工业控制系统中用于继电器替代、固态开关等高频率开关应用。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、电动工具、电动车控制器等对可靠性要求较高的场景。 该 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压（100V）和良好的热稳定性，适合中高功率应用。其封装形式（如 TO-220 或 DPAK）也便于散热和安装，适用于多种电路设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SUP50N10-21P-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2055pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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