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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7E4R0-80E,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7E4R0-80E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7E4R0-80E,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK7E4R0-80E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7E4R0-80E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 BUK7E4R0-80E,127 的晶体管由 NXP USA Inc. 生产,是一款 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效能开关和功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压特性,适用于以下应用场景: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,提高能量转换效率,降低损耗。 2. 电机控制:在直流电机或步进电机驱动电路中作为高效开关元件,实现精确速度与方向控制。 3. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)、照明控制系统等,满足车规级可靠性要求。 4. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代方案及工业电源模块中。 5. 消费类电子产品:例如高效率适配器、LED照明调光系统等对空间和效率有较高要求的产品。 其封装形式和电气特性使其适合高频操作和高电流负载环境,是多种功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BUK7E4R0-80E,127 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12030pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 169nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 25A,10V |
供应商器件封装 | I2PAK |
其它名称 | 568-9854-5 |
功率-最大值 | 349W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Ta) |