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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL520NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL520NSTRLPBF价格参考。International RectifierIRL520NSTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK。您可以下载IRL520NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL520NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRL520NSTRLPBF 是一款 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几类: 1. 电机驱动:IRL520NSTRLPBF 可用于控制直流电机、步进电机和伺服电机的启停、正反转及调速。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少发热,提高效率,适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制系统。 2. 电源管理:该器件常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池管理系统中。在这些应用中,MOSFET 作为开关元件,能够高效地进行电压转换和电流调节,确保系统的稳定性和可靠性。 3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,IRL520NSTRLPBF 可以实现直流到交流的转换。其快速开关特性和低损耗使其成为逆变器电路中的理想选择,有助于提高转换效率并降低能量损失。 4. 负载切换:该 MOSFET 可用于负载切换电路中,如继电器替代方案或保护电路。它可以在高电流条件下快速响应,确保负载的安全可靠切换,同时具备过流保护功能。 5. 音频放大器:在一些高保真音频放大器设计中,IRL520NSTRLPBF 可用于输出级,提供大电流驱动能力,保证音质纯净且不失真。其低导通电阻有助于减少热噪声,提升音频性能。 6. 汽车电子:在汽车电子系统中,如车窗升降器、座椅调节器和电动助力转向系统(EPS),该 MOSFET 可以提供稳定的驱动和控制功能,确保车辆电气系统的正常运行。 总之,IRL520NSTRLPBF 凭借其出色的电气性能和可靠性,在各种需要高效功率控制的应用中表现出色,是许多电力电子工程师的首选器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAKMOSFET MOSFT 100V 10A 180mOhm 13.3nC LogLv |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL520NSTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL520NSTRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 6A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |