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Datasheet下载- 型号： TK2P60D(TE16L1,NQ)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK2P60D(TE16L1,NQ)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK2P60D(TE16L1,NQ)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK2P60D(TE16L1,NQ)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK2P60D(TE16L1,NQ)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK2P60D(TE16L1,NQ) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK2P60D（TE16L1,NQ） 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET，属于 晶体管 - FET，MOSFET - 单 类别，是一款 N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 其典型应用场景包括： 1. 电源转换设备：如AC-DC适配器、DC-DC转换器，适用于笔记本电脑、平板及通信设备中的电源管理模块。 2. 负载开关：用于控制电池供电设备中的电源通断，如智能手机、便携式电子设备中的电源管理单元。 3. 电机驱动：适用于小型电机或风扇控制电路，如家用电器（如吸尘器、电风扇）中的驱动电路。 4. LED照明驱动：用于LED照明系统的恒流或调光控制电路中，提供高效稳定的电流控制。 5. 汽车电子系统：如车载充电器、车灯控制模块等，适用于对可靠性要求较高的车载环境。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压（600V）和良好的热稳定性，适合高频开关应用，有助于提升系统效率并减少散热设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK2P60D点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK2P60D(TE16L1,NQ) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | PW-MOLD |
| 其它名称 | TK2P60D(TE16L1NQ) |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
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