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产品简介:
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IRLR110ATF 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS) - IRLR110ATF 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如,在降压或升压转换器中,作为主功率开关来控制电流流动。 - 其快速的开关速度和低损耗特性可以提高效率并减少热量产生。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或无刷直流电机 (BLDC) 驱动中,IRLR110ATF 可用作功率级开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 它的低 Rds(on) 能够降低电机运行时的功耗,延长电池寿命。 3. 负载开关 - 该 MOSFET 常用于便携式电子设备中的负载开关应用,例如智能手机、平板电脑和其他消费类电子产品。它能够快速响应负载变化,同时保持低功耗。 4. 电池管理 - 在电池管理系统 (BMS) 中,IRLR110ATF 可用于保护电路,防止过流、短路或反向电流等问题。 - 它还可用作电池充放电路径的开关,确保高效且安全的操作。 5. 逆变器 - 在小型逆变器中,IRLR110ATF 可用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能微逆变器或其他便携式逆变器设备。 6. LED 驱动 - 该器件可用于高亮度 LED 的驱动电路中,作为开关元件调节 LED 的亮度或实现 PWM 调光功能。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,IRLR110ATF 可用于车身控制模块 (BCM)、座椅加热器、电动车窗等应用中,提供可靠的功率开关功能。 特性优势: - 低导通电阻:典型值为 3.5mΩ(Vgs=10V),可显著降低功率损耗。 - 高电流能力:连续漏极电流可达 108A(Tc=25°C),适合大功率应用。 - 快速开关性能:栅极电荷低,支持高频操作。 - 耐热增强封装:TO-263 封装有助于有效散热。 总之,IRLR110ATF 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高效功率切换的各种场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRLR110ATF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 440 毫欧 @ 2.35A,5V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.7A (Tc) |