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  • 型号: BUK95150-55A,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK95150-55A,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK95150-55A,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK95150-55A,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK95150-55A,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK95150-55A,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUK95150-55A,127 是 NXP(恩智浦)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点,适用于需要高效能和高可靠性的场合。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,作为主开关元件,实现高效的能量转换。

2. 电机控制:在直流电机驱动器或无刷电机控制系统中,作为功率开关控制电机的启停与转速。

3. 工业自动化:用于工业控制设备中的负载开关,如继电器替代、电磁阀控制等。

4. 汽车电子:适用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)及车载充电器等应用。

5. 照明系统:用于LED照明的调光与开关控制,尤其在高亮度LED驱动中表现优异。

6. 消费类电子产品:如高功率适配器、智能家电中的功率控制模块。

该MOSFET采用标准封装(如TO-220或D2PAK),便于散热和安装,适合在各类中高功率电子设备中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 13A TO220ABMOSFET RAIL PWR-MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13 A

Id-连续漏极电流

13 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK95150-55A,127TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

BUK95150-55A,127

Pd-PowerDissipation

53 W

Pd-功率耗散

53 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

137 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

137 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

285 ns

下降时间

18 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

339pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

137 毫欧 @ 13A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-9775-5
934056260127
BUK95150-55A
BUK95150-55A,127-ND
BUK95150-55A-ND

典型关闭延迟时间

1 ns

功率-最大值

53W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tmb)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BUK95150-55A

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