数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK95150-55A,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK95150-55A,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK95150-55A,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK95150-55A,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK95150-55A,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK95150-55A,127 是 NXP(恩智浦)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点,适用于需要高效能和高可靠性的场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,作为主开关元件,实现高效的能量转换。 2. 电机控制:在直流电机驱动器或无刷电机控制系统中,作为功率开关控制电机的启停与转速。 3. 工业自动化:用于工业控制设备中的负载开关,如继电器替代、电磁阀控制等。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)及车载充电器等应用。 5. 照明系统:用于LED照明的调光与开关控制,尤其在高亮度LED驱动中表现优异。 6. 消费类电子产品:如高功率适配器、智能家电中的功率控制模块。 该MOSFET采用标准封装(如TO-220或D2PAK),便于散热和安装,适合在各类中高功率电子设备中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 13A TO220ABMOSFET RAIL PWR-MOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
Id-连续漏极电流 | 13 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK95150-55A,127TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BUK95150-55A,127 |
Pd-PowerDissipation | 53 W |
Pd-功率耗散 | 53 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 137 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 137 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 285 ns |
下降时间 | 18 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 339pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 137 毫欧 @ 13A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 568-9775-5 |
典型关闭延迟时间 | 1 ns |
功率-最大值 | 53W |
包装 | 管件 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tmb) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | BUK95150-55A |