Datasheet下载- 型号： SI4464DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4464DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4464DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4464DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4464DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4464DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4464DY-T1-GE3 是一款高性能P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小型TDFN-6封装，具有低导通电阻和高功率密度，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于电池供电设备中的负载开关、电源通断控制和反向电流保护，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。 2. DC-DC转换器：在同步降压或升压电路中作为高端或低端开关使用，提升转换效率，降低功耗。 3. 电机驱动与电源开关：适用于小型电机控制、继电器驱动及低电压逻辑控制的开关电路。 4. 热插拔与过流保护电路：凭借快速响应和低导通损耗，常用于USB端口、SD卡接口等需要安全插入/拔出的应用。 5. 工业与消费类电子产品：如便携医疗设备、智能家居模块和无线传感器节点，满足高可靠性与小型化需求。 该器件工作电压适中（最高-30V），支持大电流（连续漏极电流达-7.9A），结合优异的热性能，适合高密度PCB布局。其无铅环保设计符合RoHS标准，适用于现代绿色电子产品制造。总体而言，SI4464DY-T1-GE3是一款高效、紧凑的功率开关解决方案，特别适用于对尺寸和能效要求严苛的中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4464DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4464DY-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
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