【未分类_FQU10N20TU_AM002】封装/厂家_FQU10N20TU_AM002中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： FQU10N20TU_AM002
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQU10N20TU_AM002由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU10N20TU_AM002价格参考。Fairchild SemiconductorFQU10N20TU_AM002封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQU10N20TU_AM002参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU10N20TU_AM002 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQU10N20TU_AM002 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - FQU10N20TU_AM002 的耐压为 200V，适用于开关电源中的高压开关场景，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。
   - 可用于降压、升压或反激式拓扑结构中，作为主开关管实现高效的电能转换。

 2. 电机驱动
   - 该器件适合低至中等功率的电机驱动应用，例如小型直流电机、步进电机或伺服电机。
   - 在 H 桥或半桥电路中用作开关元件，控制电机的正转、反转和速度调节。

 3. 负载开关
   - 在需要高电压负载切换的系统中，如工业设备、家用电器或汽车电子，可以使用此 MOSFET 来实现负载的快速开启和关闭。
   - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗并提高效率。

 4. 逆变器
   - 用于小型光伏逆变器或 UPS 系统中，将直流电转换为交流电。
   - 在逆变器电路中充当高频开关元件，支持高效的能量转换。

 5. 电池管理
   - 在电池保护电路中，可作为充放电路径的开关，确保电池的安全运行。
   - 适用于电动车、电动工具或其他便携式设备的电池管理系统。

 6. 照明驱动
   - 用于 LED 驱动器或荧光灯镇流器中，提供精确的电流控制以调节亮度。
   - 其高耐压能力使其能够适应各种输入电压范围。

 7. 汽车电子
   - 在汽车电子领域，可用于启动马达控制、车载音响放大器、雨刷电机驱动等。
   - 符合车规级要求的类似产品也可应用于更复杂的汽车系统中。

 总结
FQU10N20TU_AM002 凭借其 200V 的耐压能力、低导通电阻以及良好的开关性能，广泛适用于电力电子领域的多种场景，特别是在需要高效能量转换和高可靠性的地方表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQU10N20TU_AM002
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	670pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	18nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	360 毫欧 @ 3.8A，10V
供应商器件封装	I-Pak
功率-最大值	2.5W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
标准包装	70
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	7.6A （Tc）