Datasheet下载- 型号： IRF6612TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6612TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6612TRPBF价格参考。International RectifierIRF6612TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6612TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6612TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6612TRPBF的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。该器件主要适用于以下几种应用场景： 1. 电源管理：IRF6612TRPBF常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中，因其低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合高效能电源设计。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机或无刷电机的控制电路中，该MOSFET可用于实现高速开关和精确控制，常见于工业自动化设备和机器人系统。 3. 电池管理系统（BMS）：由于其良好的热稳定性和过载能力，IRF6612TRPBF可应用于电动工具、电动自行车、储能系统等的电池充放电控制电路中。 4. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源开关与功率调节模块。 5. 汽车电子：在车载电源系统、LED照明驱动、车载充电器等场景中也有广泛应用。 该MOSFET采用TDFN封装，具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局，是工业与消费类电源设计中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6612TRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3970pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 毫欧 @ 24A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6612TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Ta）， 136A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6612.spi |
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