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产品简介:
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FQPF12P20XDTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)。该器件常用于需要高效功率控制的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池充电器,作为高边开关或负载开关使用,具备低导通电阻、高效率的特点。 2. 电机控制:在直流电机驱动或H桥电路中,用于控制电机方向和速度,其高耐压和良好热性能适合中高功率应用。 3. 负载开关与电源分配:用于控制电源的通断,如服务器、工业设备和消费电子产品中的电源管理系统。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或逆变器中用于功率转换,实现电能形式的转换与调节。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、电动工具及辅助电机控制,具备较强的可靠性和温度适应性。 该MOSFET采用DPAK封装,便于散热和安装,适合中高功率密度设计。其200V耐压和12A电流能力,使其在多种功率应用中具备良好的性能与稳定性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF12P20XDTU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 470 毫欧 @ 3.65A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.3A (Tc) |