Datasheet下载- 型号： DMG3413L-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG3413L-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG3413L-7价格参考。Diodes Inc.DMG3413L-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMG3413L-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG3413L-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMG3413L-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 便携式电子设备 DMG3413L-7 的小尺寸（采用 SOT563 封装）和低导通电阻（典型值为 60 mΩ @ Vgs = 4.5V）使其非常适合用于便携式电子设备中的开关应用，例如： - 手机和平板电脑中的负载开关 - USB 充电端口保护 - 电池管理系统的电源开关 2. 电源管理 该器件的低导通电阻有助于减少功率损耗，适用于各种电源管理场景，包括： - DC-DC 转换器中的同步整流 - 低压降稳压器（LDO）的开关控制 - 电池充电电路中的电流控制 3. 电机驱动 DMG3413L-7 可用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，例如： - 消费类电子产品中的风扇或振动马达驱动 - 玩具和小型家用电器的电机控制 4. 信号切换 在需要高频信号切换的应用中，DMG3413L-7 的快速开关特性和低电容特性使其成为理想选择，例如： - 音频信号切换 - 数据通信线路的开关控制 5. 保护电路 由于其较低的漏源击穿电压（Vds = 30V），DMG3413L-7 可用于设计过流保护和短路保护电路，例如： - 限流保护 - 防止反向电流的二极管替代方案 总结 DMG3413L-7 凭借其小封装、低导通电阻和良好的开关性能，广泛应用于便携式设备、电源管理、电机驱动、信号切换和保护电路等领域。它特别适合对空间和效率要求较高的低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMG3413L-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 857pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 95 毫欧 @ 3A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | DMG3413L-7DI |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
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