Datasheet下载- 型号： RTR040N03TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RTR040N03TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTR040N03TL价格参考。ROHM SemiconductorRTR040N03TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RTR040N03TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RTR040N03TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RTR040N03TL是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，如降压、升压或反激式转换器。它能够高效地进行高频开关操作，降低功耗并提高整体效率。 2. 电机驱动：在小型直流电机驱动应用中，RTR040N03TL可以作为功率开关使用，控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻特性有助于减少发热，提高系统可靠性。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭负载的电路中，这款MOSFET可以用作电子开关。例如，在汽车电子、消费电子产品等领域中，用于管理电池供电设备的电源分配。 4. 电池保护与管理：该器件适合用作电池组中的保护开关，防止过流、短路等情况发生。同时，也可以参与电量监测和平衡等复杂功能实现。 5. LED驱动：对于大功率LED照明系统而言，RTR040N03TL能提供稳定电流输出，确保LED亮度一致性和长寿命表现。 6. 音频放大器：在D类音频放大器设计中，该MOSFET可充当输出级元件，以高效率将数字信号转化为模拟声音信号。 7. 工业自动化设备：如PLC输入/输出模块、传感器接口电路等场合下，利用其快速响应特性和耐高压能力来完成信号隔离及功率传输任务。 总之，RTR040N03TL凭借其优良的电气性能参数（如低导通电阻、高击穿电压、大电流承载能力等），广泛应用于各类便携式设备、通信基础设施以及工业控制系统当中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3MOSFET 2.5V Drive N-Chan |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTR040N03TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RTR040N03TL |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 48 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 475pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 48 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 其它名称 | RTR040N03TLCT |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TSMT-3 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/846-1003-KIT/846-1003-KIT-ND/2277304 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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