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IRF630SPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF630SPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF630SPBF价格参考。VishayIRF630SPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D²PAK(TO-263)。您可以下载IRF630SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF630SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF630SPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRF630SPBF 常用于开关电源中的功率开关,适用于降压、升压或反激式转换器。 - 其高电压耐受能力(最大漏源极电压为 200V)使其适合高压输入环境。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动电路中,IRF630SPBF 可作为功率开关控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适用于直流电机、步进电机或伺服电机等应用。 3. 逆变器 - 用于将直流电转换为交流电的逆变器电路中,IRF630SPBF 可作为高频开关元件。 - 例如太阳能逆变器或家用应急电源系统。 4. 负载开关 - 在需要动态控制负载通断的场景中,该 MOSFET 可用作高效的电子开关。 - 应用于电池管理系统(BMS)或汽车电子设备中。 5. 继电器替代 - 由于其低导通电阻(典型值为 0.7Ω),IRF630SPBF 可以替代机械继电器,实现更快速、更可靠的开关功能。 - 适用于家用电器、工业设备和自动化控制系统。 6. 音频放大器 - 在一些音频功率放大器设计中,IRF630SPBF 可用于输出级以提供大电流驱动能力。 - 特别是在 Class D 放大器中,它可以用作高频开关元件。 7. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护或欠压锁定(UVLO)电路中。 - 通过快速响应和低功耗特性,确保系统的安全运行。 8. 脉宽调制(PWM)电路 - 在 PWM 控制电路中,IRF630SPBF 可用于调节输出功率或信号强度。 - 应用于 LED 驱动、加热器控制或其他需要精确功率调节的场合。 总结 IRF630SPBF 的高性能参数(如高耐压、适中的导通电阻和较低的栅极电荷)使其成为许多功率电子应用的理想选择。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,它都能发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAKMOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF630SPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF630SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 400 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 5.4A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 功率耗散 | 3 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 400 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |