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  • 型号: IRF630SPBF
  • 制造商: Vishay
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IRF630SPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF630SPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF630SPBF价格参考。VishayIRF630SPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D²PAK(TO-263)。您可以下载IRF630SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF630SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF630SPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - IRF630SPBF 常用于开关电源中的功率开关,适用于降压、升压或反激式转换器。
   - 其高电压耐受能力(最大漏源极电压为 200V)使其适合高压输入环境。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机驱动电路中,IRF630SPBF 可作为功率开关控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 适用于直流电机、步进电机或伺服电机等应用。

 3. 逆变器
   - 用于将直流电转换为交流电的逆变器电路中,IRF630SPBF 可作为高频开关元件。
   - 例如太阳能逆变器或家用应急电源系统。

 4. 负载开关
   - 在需要动态控制负载通断的场景中,该 MOSFET 可用作高效的电子开关。
   - 应用于电池管理系统(BMS)或汽车电子设备中。

 5. 继电器替代
   - 由于其低导通电阻(典型值为 0.7Ω),IRF630SPBF 可以替代机械继电器,实现更快速、更可靠的开关功能。
   - 适用于家用电器、工业设备和自动化控制系统。

 6. 音频放大器
   - 在一些音频功率放大器设计中,IRF630SPBF 可用于输出级以提供大电流驱动能力。
   - 特别是在 Class D 放大器中,它可以用作高频开关元件。

 7. 保护电路
   - 用于过流保护、短路保护或欠压锁定(UVLO)电路中。
   - 通过快速响应和低功耗特性,确保系统的安全运行。

 8. 脉宽调制(PWM)电路
   - 在 PWM 控制电路中,IRF630SPBF 可用于调节输出功率或信号强度。
   - 应用于 LED 驱动、加热器控制或其他需要精确功率调节的场合。

 总结
IRF630SPBF 的高性能参数(如高耐压、适中的导通电阻和较低的栅极电荷)使其成为许多功率电子应用的理想选择。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,它都能发挥重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAKMOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9 A

Id-连续漏极电流

9 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF630SPBF-

数据手册

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产品型号

IRF630SPBF

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

400 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

400 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

28 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

400 毫欧 @ 5.4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263(D2Pak)

典型关闭延迟时间

39 ns

功率-最大值

3W

功率耗散

3 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

400 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

正向跨导-最小值

3.8 S

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

9 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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