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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR210BTM_FP001由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR210BTM_FP001价格参考。Fairchild SemiconductorIRFR210BTM_FP001封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR210BTM_FP001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR210BTM_FP001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的型号为IRFR210BTM_FP001的MOSFET属于高性能功率场效应晶体管,广泛应用于需要高效能、快速开关特性的场景。该器件具备低导通电阻、高耐压(典型为200V)和高电流承载能力,适用于多种电力电子领域。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器中,实现高效能能量转换。 2. 电机控制:在直流电机、无刷电机驱动电路中作为功率开关,提供快速响应和高效控制。 3. 逆变器与变频器:用于UPS不间断电源、太阳能逆变器及工业变频设备中,支持高频率开关操作。 4. 负载开关与继电器替代:在自动控制系统中替代机械继电器,用于高电流负载的快速、可靠控制。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动、电池管理系统(BMS)等对可靠性要求较高的场景。 6. 工业自动化:在PLC、工业电源模块和自动化设备中用于功率控制和负载切换。 该MOSFET封装形式适合表面贴装,适用于自动化生产流程,广泛用于需要高效能与高稳定性的工业、通信及消费类电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFR210BTM_FP001 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 1.35A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Tc) |