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详细数据请看参考数据手册
- 型号： APT30M85BVFRG
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT30M85BVFRG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT30M85BVFRG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT30M85BVFRG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT30M85BVFRG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT30M85BVFRG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APT30M85BVFRG是Microsemi Corporation生产的一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有高耐压、低导通电阻和优良的开关性能，适用于高效率、高可靠性的电力电子系统。 其主要应用场景包括工业电源、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及DC-DC转换器等。由于具备850V的高漏源击穿电压和30A的连续漏极电流能力，APT30M85BVFRG特别适合中高功率应用场合，例如工业自动化设备中的功率模块和电能变换系统。 此外，该MOSFET采用先进的平面垂直工艺制造，具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行，因此也广泛应用于航空电子、军事和高可靠性工业领域。其封装形式为表面贴装型（如D2PAK），便于散热设计和自动化生产，适用于需要紧凑布局和高效散热的电路板设计。 综上所述，APT30M85BVFRG凭借其高电压耐受能力、优异的电气性能和高可靠性，主要应用于工业电源管理、能源转换系统及对稳定性要求较高的高端电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6226-apt30m85bvfr-c-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT30M85BVFRG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWER MOS V® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4950pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 195nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 [B] |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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