Datasheet下载- 型号： IRFP7537PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP7537PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP7537PBF价格参考￥10.49-￥21.64。International RectifierIRFP7537PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFP7537PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP7537PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFP7537PBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的单通道类型。该器件的应用场景主要集中在需要高效功率转换和开关操作的领域，具体应用场景如下： 1. 电源管理 IRFP7537PBF适用于各种开关电源（SMPS）设计，例如AC-DC或DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（V(BR)DSS）特性使其能够在高效率和高温环境下稳定工作，适合用于计算机电源、服务器电源、通信设备电源以及消费类电子产品的适配器。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型电机的驱动电路中。它能够提供高效的开关性能，减少能量损耗，并支持精确的速度和扭矩控制，广泛应用于家用电器（如空调、冰箱、洗衣机等）和工业自动化设备。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，IRFP7537PBF可以作为关键的功率开关元件。其出色的电气参数有助于提高系统的整体效率，同时降低热耗散，确保长时间稳定运行。 4. 负载切换与保护 此器件可被用作负载切换开关，实现对电路的快速开启和关闭操作。此外，在过流保护、短路保护等应用中，它凭借快速响应时间和低损耗特性表现出色。 5. 脉宽调制（PWM）控制器 IRFP7537PBF适合于PWM信号驱动下的高频开关应用，例如音频放大器、LED驱动器以及其他需要精确调节输出功率的场合。 总结来说，IRFP7537PBF是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，适用于多种功率转换和控制场景，尤其在要求高效率、低功耗及可靠性的电子产品中具有显著优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 172A TO247MOSFET MOSFET N CH 60V 172A TO247 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 172 A |
| Id-连续漏极电流 | 172 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP7537PBFHEXFET®， StrongIRFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP7537PBF |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| Qg-GateCharge | 142 nC |
| Qg-栅极电荷 | 142 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| 上升时间 | 105 ns |
| 下降时间 | 84 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7020pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 典型关闭延迟时间 | 84 ns |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 190 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/60-V-StrongIRFET-Power-MOSFETs/52378 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 172A （Tc） |
| 配置 | Single |
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