Datasheet下载- 型号： IRLM210ATF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLM210ATF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLM210ATF价格参考。Fairchild SemiconductorIRLM210ATF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLM210ATF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLM210ATF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLM210ATF是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件采用先进的TrenchFET®技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和小型化封装（如SOT-23），适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于其低功耗和小尺寸特性，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等电池供电产品中的电源管理与负载开关控制。 2. 电源开关与DC-DC转换：在同步整流、电压反转电路及低压DC-DC转换器中作为高效开关元件，提升系统能效。 3. 电机驱动与继电器驱动：可用于微型电机或电磁继电器的控制电路，实现低电流信号对较大负载的驱动。 4. 热插拔与电源排序控制：在多电源系统中用于控制上电顺序或防止浪涌电流，保护后级电路。 5. 消费类电子产品：广泛应用于家电控制板、USB电源控制、LED驱动模块等需要小型化和高可靠性的场合。 IRLM210ATF凭借其优异的电气性能和稳定可靠性，特别适合在低电压（通常工作于-20V VDSS）、中低电流环境下替代传统三极管或更大封装的MOSFET，有助于简化设计、提高集成度并降低整体功耗。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLM210ATF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 240pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 390mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 770mA （Ta） |
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